Samsung подготвя 16 GB памет модули

Samsung обяви, че започва да произвежда тестови 50 nm DDR3 устройства, които ще направят възможни по-енергийноефективни модули с капацитет до 16 GB. От компанията съобщават, че 50 nm мострите са 2 Gb DDR3 и предлагат два пъти по-голяма наситеност спрямо днешните 1 Gb чипове като имат енергийна ефективност с над 40% повече спрямо предшестващите ги модели.

Според компанията, новият малък размер ще позволи конфигурации от до 8 GB за RIMMs (registered in-line memory modules), както и 4 GBs за насочените към преносимите компютри SODIMM (small outline dual in-line memory modules). Използвайки двуместни конструкции наситеността на устройствата ще може да се покачи до 16 GB за десктоп и сървърни продукти. Samsung възнамерява да започне масовото производство на 2 Gb чипове към края на настоящата година и да направи 2 Gb DDR3 основна DRAM производствена технология през 2009.

Доста оптимистично би било да очакваме 8 GB или 16 GB модулите да се превърнат в достъпно решение за масовите компютри през следващата година: 8 GB DDR3 модулите в момента не са широко достъпни и дори DDR2 версиите се продават за по над 1000 долара.