Samsung представи флаш памет с капацитет 256GB

Samsung обяви че е започнала масово производство на първата в индустрията флаш памет с капацитет 256GB, която е базирана на стандарта Universal Flash Storage (UFS) 2.0 и е предназначена за следващото поколение мобилни устройства.

Новият UFS чип на Samsung е базиран на вертикалната NAND (V-NAND) технология на компанията и използва специално създаден високопроизводителен контролер. UFS паметта може да обработи до 45 000 (при четене) и до 40 000 (при писане) входно изходни операции в секунда (IOPS) при произволен (случаен) достъп. Това е повече от два пъти по-бързо спрямо 19 000 и 14 000 IOPS при предходното поколение UFS памет.

При последователен достъп на четене 256GB UFS се възползва от два канала за трансфер на данни и може да се справи с трансфер със скорост до 850MB/s, което е почти два пъти повече, в сравнение с традиционните SSD дискове, базирани на SATA интерфейс и предназначени за настолни компютри. По отношение на последователния достъп за писане, моделът предлага максимална скорост от 260MB/s, което е около три пъти по-бързо спрямо високопроизводителните външни microSD карти.

Новият UFS чип е компактен и на размер е по-малък от microSD карти памет.